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雙束FIB設(shè)備介紹(二)


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  • 2019年**半導(dǎo)體市場(chǎng)不景氣,中國(guó)表現(xiàn)良好

    2019年**半導(dǎo)體市場(chǎng)陷入萎縮,而中國(guó)可圈可點(diǎn) 經(jīng)常會(huì)有人問半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是什么樣的一種產(chǎn)業(yè)?魏少軍教授用奧地利經(jīng)濟(jì)學(xué)家約瑟夫·熊彼得的一句話來(lái)引出,那就是“創(chuàng)新不是一個(gè)技術(shù)概念,而是一個(gè)經(jīng)濟(jì)概念”。半導(dǎo)體或者芯片產(chǎn)業(yè),恰恰是一個(gè)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)業(yè),它的發(fā)明較終變成了錢,它是靠創(chuàng)新的方式來(lái)發(fā)展。所以它是個(gè)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)業(yè)。 了解了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的形式之后,再來(lái)看下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展情況。以史為鑒,從1987年到

  • 芯片分析方法

    1.OM 顯微鏡觀測(cè),外觀分析 2.C-SAM(超聲波掃描顯微鏡) (1)材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu),雜質(zhì)顆粒,夾雜物,沉淀物, (2) 內(nèi)部裂紋。(3)分層缺陷。(4)空洞,氣泡,空隙等。 3. X-Ray 檢測(cè)IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如對(duì)齊不良或橋接,開路、短路或不正常連接的缺陷,封裝中的錫球完整性。(這幾種是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性

  • 失效案例分析EOS靜電擊穿

    作為研發(fā)較怕遇到的事情之一就是芯片失效的問題,好端端的芯片突然異常不能正常工作了,很多時(shí)候想盡辦法卻想不出問題在哪。的確,芯片失效是一個(gè)非常讓人頭疼的問題,它可能發(fā)生在研發(fā)初期,可能發(fā)生在生產(chǎn)過程中,還有可能發(fā)生在終端客戶的使用過程中。造成的影響有時(shí)候也非常巨大。 芯片失效的原因多種多樣,并且它的發(fā)生也無(wú)明顯的規(guī)律可循。那么有沒有一些辦法來(lái)預(yù)防芯片失效的發(fā)生呢?這里會(huì)通過案例來(lái)思考下可以通過哪些方

  • 掃描電鏡SEM你了解嗎?

    掃描電鏡SEM你了解嗎?掃描電子顯微鏡SEM應(yīng)用范圍: 1、材料表面形貌分析,微區(qū)形貌觀察 2、各種材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析 3、各種薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析 掃描電子顯微鏡樣品制備比透射電鏡樣品制備簡(jiǎn)單,不需要包埋和切片。 樣品要求: 樣品必須是固體;滿足無(wú)毒,無(wú)放射性,無(wú)污染,無(wú)磁,無(wú)水,成分穩(wěn)定要求。 制備原則: 表面受到污染的試樣,要在不破壞試樣表面結(jié)構(gòu)的

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