掃描電鏡SEM你了解嗎？

時(shí)間：2020-04-01作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：175

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• 詞條

  詞條說明

• 失效分析含義和具體操作

  失效分析技術(shù)，失效分析實(shí)驗(yàn)室，失效機(jī)制是導(dǎo)致零件、元器件和材料失效的物理或化學(xué)過程。此過程的誘發(fā)因素有內(nèi)部的和外部的。在研究失效機(jī)制時(shí)，通常先從外部誘發(fā)因素和失效表現(xiàn)形式入手，進(jìn)而再研究較隱蔽的內(nèi)在因素。在研究批量性失效規(guī)律時(shí)，常用數(shù)理統(tǒng)計(jì)方法，構(gòu)成表示失效機(jī)制、失效方式或失效部位與失效頻度、失效百分比或失效經(jīng)濟(jì)損失之間關(guān)系的排列圖或帕雷托圖，以找出必須首先解決的主要失效機(jī)制、方位和部位。任一產(chǎn)品

• 半導(dǎo)體材料SiC和GaN

  寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN 的研究現(xiàn)狀 **代半導(dǎo)體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。*二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）、砷化銦（InAs）、砷化鋁（AlAs）及其合金化合物等，其奠定了20 世紀(jì)信息光電產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。*三代寬禁帶半導(dǎo)體材料一般是指氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氮化鋁（

• 芯片失效分析方法：

  芯片失效分析方法： 1.OM 顯微鏡觀測(cè)，外觀分析 2.C-SAM（超聲波掃描顯微鏡） （1）材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒，夾雜物，沉淀物， （2） 內(nèi)部裂紋。 （3）分層缺陷。（4）空洞，氣泡，空隙等。 3. X－Ray 檢測(cè)IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對(duì)齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。（這幾種是芯片發(fā)生失

• 芯片廠用開封方法介紹

  開封, 即開蓋/開帽 開封含義： 開封, 即開蓋/開帽, 指去除ic封膠, 同時(shí)保持芯片功能的完整無損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受損傷, 為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備. 去封范圍：* 普通封裝* COB、BGA * 陶瓷、金屬等其它特殊封裝 芯片開封機(jī)介紹： 美國(guó)RKD生產(chǎn)的RKD 酸開封機(jī)是一臺(tái)自動(dòng)混酸開封機(jī)，通過整合了***的特點(diǎn)