芯片失效分析x-ray測試

時(shí)間：2020-03-28作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：145

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  詞條說明

• 半導(dǎo)體進(jìn)入2納米時(shí)代

  半導(dǎo)體進(jìn)入2納米時(shí)代 推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步有兩個(gè)輪子，一個(gè)是尺寸縮小，另一個(gè)是硅片直徑增大，顯然尺寸縮小是主力，因?yàn)楣杵睆皆龃笊婕罢麠l生產(chǎn)線設(shè)備的更換。 現(xiàn)階段除了尺寸繼續(xù)縮小之外，利用成熟制程的特色工藝及*三代半導(dǎo)體等正風(fēng)生水起，將開辟定律的另一片新的天地。 臺(tái)積電正討論在美國開建2納米工廠事項(xiàng)，目前的態(tài)勢分析這個(gè)決定不好下，因?yàn)槭袌雠c投資（可能約500億美元）兩個(gè)都是關(guān)鍵因素。 據(jù)閩臺(tái)地區(qū)《經(jīng)濟(jì)

• 半導(dǎo)體材料SiC和GaN

  寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN 的研究現(xiàn)狀 **代半導(dǎo)體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。*二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）、砷化銦（InAs）、砷化鋁（AlAs）及其合金化合物等，其奠定了20 世紀(jì)信息光電產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。*三代寬禁帶半導(dǎo)體材料一般是指氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氮化鋁（

• FIB功能介紹

  FIB - SEM雙束系統(tǒng)在微電子領(lǐng)域的應(yīng)用 隨著半導(dǎo)體電子器件及集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，器件及電路結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜，這對(duì)微電子芯片工藝診斷、失效分析、微納加工的要求也越來越高。FIB - SEM雙束系統(tǒng)所具備的強(qiáng)大的精細(xì)加工和微觀分析功能，使其廣泛應(yīng)用于微電子設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域。 基本原理： FIB - SEM雙束系統(tǒng)是指同時(shí)具有聚焦離子束（Focused Ion Beam，F(xiàn)IB）和掃描電子顯微鏡（

• FIB/SEM/EDX技術(shù)指標(biāo)

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離