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**半導(dǎo)體現(xiàn)狀


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  • 詞條

    詞條說(shuō)明

  • 開(kāi)封機(jī)類(lèi)型 開(kāi)封機(jī)功能介紹

    芯片開(kāi)封機(jī)分用化學(xué)腐蝕和激光開(kāi)封兩種,區(qū)別是激光開(kāi)封比較簡(jiǎn)單,而且開(kāi)封銅線(xiàn)邦定的效果好 開(kāi)封指去除ic封膠,同時(shí)保持芯片功能的完整無(wú)損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受損傷, 為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備。也稱(chēng)為開(kāi)蓋,開(kāi)帽,去封范圍:普通封裝COB、BGA 陶瓷、金屬等其它特殊封裝。 芯片IC半導(dǎo)體元器件開(kāi)封機(jī)decap酸開(kāi)封機(jī)自動(dòng)開(kāi)封機(jī)激

  • 芯片開(kāi)封方式

    芯片封裝如何去除?---芯片開(kāi)封介紹 芯片開(kāi)封也就是給芯片做外科手術(shù),通過(guò)開(kāi)封我們可以直觀的觀察芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu),開(kāi)封后可以結(jié)合OM分析判斷樣品現(xiàn)狀和可能產(chǎn)生的原因。 開(kāi)封的含義:Decap即開(kāi)封,也稱(chēng)開(kāi)蓋,開(kāi)帽,指給完整封裝的IC做局部腐蝕,使得IC可以暴露出來(lái),同時(shí)保持芯片功能的完整無(wú)損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-不受損傷, 為下一步芯片失效分析實(shí)

  • 晶柱成長(zhǎng)制程

    《晶柱成長(zhǎng)制程》 硅晶柱的長(zhǎng)成,首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中,并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì),使產(chǎn)生出來(lái)的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì),接著需要將所有物質(zhì)融化后再長(zhǎng)成單晶的硅晶柱,以下將對(duì)所有晶柱長(zhǎng)成制程做介紹。 長(zhǎng)晶主要程序︰ 融化(MeltDown) 此過(guò)程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上,此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng),若使用較大的功率來(lái)

  • 無(wú)損檢測(cè)科普

    無(wú)損檢測(cè)分析 工程檢查/無(wú)損檢測(cè)無(wú)損檢測(cè)是在不損壞工件或原材料工作狀態(tài)的前提下,對(duì)被檢驗(yàn)部件的表面和內(nèi)部質(zhì)量進(jìn)行檢查的一種測(cè)試手段。 無(wú)損檢測(cè)方法 常用的無(wú)損檢測(cè)方法有:X光射線(xiàn)探傷、超聲波探傷、磁粉探傷、滲透探傷、渦流探傷、γ射線(xiàn)探傷、螢光探傷、著色探傷等方法。 無(wú)損檢測(cè)目地 通過(guò)對(duì)產(chǎn)品內(nèi)部缺陷進(jìn)行檢測(cè)對(duì)產(chǎn)品從以下方面進(jìn)行改進(jìn)。 1、改進(jìn)制造工藝; 2、降低制造成本; 3、提高產(chǎn)品的可靠性; 4

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