**半導(dǎo)體現(xiàn)狀

時(shí)間：2020-04-10作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：166

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  詞條說明

• 聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離

• FIB/SEM/EDX技術(shù)指標(biāo)

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• 芯片開封decap簡(jiǎn)介及芯片開封在失效分析中應(yīng)用案例分析

  半導(dǎo)體元器件失效分析性測(cè)試?2024年07月08日 15:32?北京DECAP：即開封，業(yè)內(nèi)也稱開蓋，開帽。是指將完整封裝的IC做局部腐蝕，使得IC可以暴露出來 ，同時(shí)保持芯片功能的完整無損，為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備，方便觀察或做其他測(cè)試。通過芯片開封，我們可以為直觀的觀察到芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，從而結(jié)合OM，X-RAY等設(shè)備分析判斷樣品的異常點(diǎn)位和失效的可能原因。開封方法及注意

• Decap芯片內(nèi)開封類型原理及應(yīng)用

  Decap開封類型原理及應(yīng)用 儀準(zhǔn) AA探針臺(tái) 轉(zhuǎn)載請(qǐng)寫明出處Decap即開封，也稱開蓋，開帽，指給完整封裝的IC做*局部腐蝕，使得IC可以暴露出來，同時(shí)保持芯片功能的完整無損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受損傷, 為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備，方便觀察或做其他測(cè)試（如FIB,EMMI），Decap后功能正常。 去封范圍：普通封裝 COB