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FIB技術(shù)的在芯片設(shè)計(jì)及加工過程中的應(yīng)用介紹: 1.IC芯片電路修改 用FIB對(duì)芯片電路進(jìn)行物理修改可使芯片設(shè)計(jì)者對(duì)芯片問題處作針對(duì)性的測(cè)試,以便較快較準(zhǔn)確的驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案。 若芯片部份區(qū)域有問題,可通過FIB對(duì)此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問題的癥結(jié)。 FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時(shí)間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計(jì)方案修改次數(shù),
一般來說,集成電路在研制、生產(chǎn)和使用過程中失效不可避免,隨著人們對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性要求的不斷提高,失效分析工作也顯得越來越重要,通過芯片失效分析,可以幫助集成電路設(shè)計(jì)人員找到設(shè)計(jì)上的缺陷、工藝參數(shù)的不匹配或設(shè)計(jì)與操作中的不當(dāng)?shù)葐栴}。 失效分析的意義主要表現(xiàn)? 具體來說,失效分析的意義主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面: 失效分析是確定芯片失效機(jī)理的必要手段。 失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息。 失效分
半導(dǎo)體技術(shù)公益課:芯片流片前的物理驗(yàn)證
半導(dǎo)體技術(shù)公益課 2020年4月18日(周六) 題 目: 芯片流片前的物理驗(yàn)證 簡(jiǎn) 介: 1.**部分drc; 2.*二部分lvs; 時(shí) 長(zhǎng): 10分鐘 主 講 人: Allen 產(chǎn)品工程師 時(shí) 間 : 11:00-11:10 題 目:芯片失效分析方法及流程 簡(jiǎn) 介:失效分析方法; 失效分析流程; 失效分析案例; 失效分析實(shí)驗(yàn)室介紹。 分享時(shí)長(zhǎng):45分鐘 主 講人:趙俊紅就職于科委檢測(cè)中心,集成電
《晶柱成長(zhǎng)制程》 硅晶柱的長(zhǎng)成,首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中,并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì),使產(chǎn)生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì),接著需要將所有物質(zhì)融化后再長(zhǎng)成單晶的硅晶柱,以下將對(duì)所有晶柱長(zhǎng)成制程做介紹。 長(zhǎng)晶主要程序︰ 融化(MeltDown) 此過程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上,此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng),若使用較大的功率來
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備

激光開封機(jī)laser decap開蓋開封開帽ic開封去封裝

開短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線

聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析

超聲波掃描顯微鏡CSAN無損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析

電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡

EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光**顯微鏡

IV曲線測(cè)試開短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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