失效分析分類方法

時間：2020-04-24

作者：儀準科技（北京）有限公司

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詞條說明
FIB/SEM/EDX技術(shù)指標
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標一、技術(shù)指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離
芯片行業(yè)的困境
芯片行業(yè)的困境過去幾十年，在摩爾定律的指導下，芯片中的晶體管數(shù)量大約每兩年翻一番。晶體管的微縮技術(shù)革新增加了晶體管的密度。摩爾定律在20世紀60年代**被發(fā)現(xiàn)，并一直延續(xù)到2010年代，至此以后，晶體管密度的發(fā)展開始放緩。如今，主流芯片包含了數(shù)十億個晶體管，但如果摩爾定律能夠繼續(xù)按照當時的速度發(fā)展下去，它們的晶體管數(shù)量將是現(xiàn)在的15倍。每一代晶體管密度的增加，被稱為“節(jié)點”。每個節(jié)點對應于晶體
失效分析簡介
電子元器件失效分析 1、簡介電子元器件技術(shù)的快速發(fā)展和可靠性的提高奠定了現(xiàn)代電子裝備的基礎(chǔ)，元器件可靠性工作的根本任務(wù)是提高元器件的可靠性。因此，必須重視和加快發(fā)展元器件的可靠性分析工作，通過分析確定失效機理，找出失效原因，反饋給設(shè)計、制造和使用，共同研究和實施糾正措施，提高電子元器件的可靠性。電子元器件失效分析的目的是借助各種測試分析技術(shù)和分析程序確認電子元器件的失效現(xiàn)象，分辨其失效模式和失
芯片失效分析方法
1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無損檢查:１.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內(nèi)部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 、X－Ray（這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國Fein 微焦點Xray用途：半導體BGA，線路板等內(nèi)部位移的分析；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷. 參數(shù)：標準檢測分辨率＜500納米；幾何放大倍數(shù): 2