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金相試樣制備及常見問題 金相分析是研究材料內(nèi)部組織結構的重要方法,一般用來進行失效分析(FA)、質量控制(QC)、研發(fā)(RD)等。而金相試樣制備的目的是獲得材料內(nèi)部真實的組織結構,需要通過不同的金相試樣制備方法去完成。 一般來說,金相試樣制備的方法有:機械法(傳統(tǒng)意義上的機械制備--磨拋)、電解法(電解拋光和浸蝕)、化學法(化學浸蝕)、化學機械法(化學作用和機械作用同時去除材料)。 金相試樣制備的
白話芯片漏電定位方法科普 原創(chuàng) 儀準科技 王福成 轉載請寫明出處 芯片漏電是失效分析案例中較常見的,找到漏電位置是查明失效原因的前提,液晶漏電定位、EMMI(CCD\InGaAs)、激光誘導等手段是工程人員經(jīng)常采用的手段。多年來,在中國半導體產(chǎn)業(yè)有個誤區(qū),認為激光誘導手段就是OBIRCH。今日小編為大家科普一下激光誘導(laser scan Microscope). 目前激光誘導功能在業(yè)內(nèi)普遍被采
《半導體IC制造流程》 一、晶圓處理制程 晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電路與電子組件(如晶體管、電容體、邏輯閘等),為上述各制程中所需技術較復雜且資金投入較多的過程 ,以微處理器(Microprocessor)為例,其所需處理步驟可達數(shù)百道,而其所需加工機臺先進且昂貴,動輒數(shù)千萬一臺,其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與 含塵量(Particle)均需控制的無塵室(Clean-Room),雖
1 、C-SAM(超聲波掃描顯微鏡),無損檢查:1.材料內(nèi)部的晶格結構,雜質顆粒.夾雜物.沉淀物.2. 內(nèi)部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 、X-Ray(這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段),德國Fein 微焦點Xray用途:半導體BGA,線路板等內(nèi)部位移的分析 ;利于判別空焊,虛焊等BGA焊接缺陷. 參數(shù):標準檢測分辨率<500納米 ;幾何放大倍數(shù): 2
公司名: 儀準科技(北京)有限公司
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電 話: 01082825511-869
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