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白話芯片漏電定位方法科普 原創(chuàng) 儀準(zhǔn)科技 王福成 轉(zhuǎn)載請(qǐng)寫明出處 芯片漏電是失效分析案例中較常見(jiàn)的,找到漏電位置是查明失效原因的前提,液晶漏電定位、EMMI(CCD\InGaAs)、激光誘導(dǎo)等手段是工程人員經(jīng)常采用的手段。多年來(lái),在中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有個(gè)誤區(qū),認(rèn)為激光誘導(dǎo)手段就是OBIRCH。今日小編為大家科普一下激光誘導(dǎo)(laser scan Microscope). 目前激光誘導(dǎo)功能在業(yè)內(nèi)普遍被采
寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN 的研究現(xiàn)狀 **代半導(dǎo)體材料一般是指硅(Si)元素和鍺(Ge)元素,其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。*二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料,如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)、砷化銦(InAs)、砷化鋁(AlAs)及其合金化合物等,其奠定了20 世紀(jì)信息光電產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。*三代寬禁帶半導(dǎo)體材料一般是指氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氮化鋁(
名稱:半導(dǎo)體技術(shù)公益課講師征集 時(shí)間:每周五下午5-7點(diǎn) 時(shí)長(zhǎng):不限 方式:直播分享 演講者可以準(zhǔn)備ppt,發(fā)來(lái)題目,框架,時(shí)長(zhǎng),個(gè)人簡(jiǎn)介,協(xié)調(diào)好時(shí)間后即可安排。 想做線上分享的,可以聊您擅長(zhǎng)的領(lǐng)域,半導(dǎo)體相關(guān)的都?xì)g迎,話題,時(shí)長(zhǎng)不限 名稱:半導(dǎo)體技術(shù)公益課講師征集 時(shí)間:每周五下午5-7點(diǎn) 時(shí)長(zhǎng):不限 方式:直播分享 演講者可以準(zhǔn)備ppt,發(fā)來(lái)題目,框架,時(shí)長(zhǎng),個(gè)人簡(jiǎn)介,協(xié)調(diào)好時(shí)間后即可安排。
熱插拔帶來(lái)的EOS損壞 \使用USB接口的產(chǎn)品,如果熱插拔設(shè)計(jì)存在問(wèn)題的話,*帶來(lái)EOS破壞。 產(chǎn)品熱插拔的時(shí)候,可能會(huì)帶來(lái)瞬時(shí)的大電流,這種大電流,是一種震蕩波,首先,可能直接破壞芯片或器件,而是激發(fā)芯片產(chǎn)生大電流的latchup效應(yīng),最后燒壞芯片或器件。 某產(chǎn)品試用時(shí),插拔時(shí)頻頻出現(xiàn)損壞,經(jīng)過(guò)比對(duì)電性分析,發(fā)現(xiàn)電性明顯異常,進(jìn)行EMMI測(cè)試,發(fā)現(xiàn)芯片表面異常亮點(diǎn),在顯微鏡下,發(fā)現(xiàn)鋁線燒損,判
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備

激光開(kāi)封機(jī)laser decap開(kāi)蓋開(kāi)封開(kāi)帽ic開(kāi)封去封裝

開(kāi)短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線

聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析

超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析

電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡

EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光發(fā)射顯微鏡

IV曲線測(cè)試開(kāi)短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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