聚焦離子束顯微鏡FIB應(yīng)用

時(shí)間：2020-03-25作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：124

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

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  失效分析fib 1.IC芯片電路修改 用FIB對(duì)芯片電路進(jìn)行物理修改可使芯片設(shè)計(jì)者對(duì)芯片問(wèn)題處作針對(duì)性的測(cè)試,以便較快較準(zhǔn)確的驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案。 若芯片部份區(qū)域有問(wèn)題,可通過(guò)FIB對(duì)此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問(wèn)題的癥結(jié)。 FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時(shí)間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計(jì)方案修改次數(shù)，縮短研發(fā)時(shí)間和周期。 2.Cro

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  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離

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  寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN 的研究現(xiàn)狀 **代半導(dǎo)體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。*二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）、砷化銦（InAs）、砷化鋁（AlAs）及其合金化合物等，其奠定了20 世紀(jì)信息光電產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。*三代寬禁帶半導(dǎo)體材料一般是指氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氮化鋁（

• 科委檢測(cè)中心招聘失效分析崗位

  科委檢測(cè)中心招聘失效分析崗位：招聘失效分析工程師，招聘失效分析技術(shù)員，招聘失效分析銷(xiāo)售人員,軟件測(cè)試工程師 符合條件的北京解決戶(hù)口和事業(yè)編制 北京軟件產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)檢驗(yàn)中心（簡(jiǎn)稱(chēng)：北軟檢測(cè)）成立于2002 年7月，是經(jīng)北京市編辦批準(zhǔn)，由北京市科學(xué)技術(shù)**和北京市質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局聯(lián)合成立的事業(yè)單位。2004年1月，國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局批準(zhǔn)在北軟檢測(cè)基礎(chǔ)上籌*家應(yīng)用軟件產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心（簡(jiǎn)稱(chēng)：