聚焦離子束FIB詳細(xì)介紹

時(shí)間：2020-04-01作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：190

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 顯微鏡測(cè)試倍數(shù)計(jì)算

  如何確認(rèn)顯微鏡的放大倍率 很多實(shí)驗(yàn)室都在使用顯微鏡，但對(duì)顯微鏡的相關(guān)專(zhuān)業(yè)知識(shí)并不了解，只是知道怎么去操作，但對(duì)于一些基本常識(shí)可能都不怎么清楚，那么今天我們就來(lái)講講有關(guān)顯微鏡的放大倍率是如何計(jì)算的？ 也許有人會(huì)說(shuō)這不是很簡(jiǎn)單的問(wèn)題嘛，但實(shí)際還是有點(diǎn)小復(fù)雜的。 首先我們來(lái)舉個(gè)例子來(lái)說(shuō)：當(dāng)體視顯微鏡目鏡的倍率為10倍，變倍體變倍范圍是：0.7X-4.5X，附加物鏡為：2X。那它的光學(xué)放大倍率為：10乘0

• 半導(dǎo)體材料SiC和GaN

  寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN 的研究現(xiàn)狀 **代半導(dǎo)體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。*二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）、砷化銦（InAs）、砷化鋁（AlAs）及其合金化合物等，其奠定了20 世紀(jì)信息光電產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。*三代寬禁帶半導(dǎo)體材料一般是指氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氮化鋁（

• 晶柱成長(zhǎng)制程

  《晶柱成長(zhǎng)制程》 硅晶柱的長(zhǎng)成，首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中，并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì)，使產(chǎn)生出來(lái)的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì)，接著需要將所有物質(zhì)融化后再長(zhǎng)成單晶的硅晶柱，以下將對(duì)所有晶柱長(zhǎng)成制程做介紹。 長(zhǎng)晶主要程序︰ 融化（MeltDown） 此過(guò)程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng)，若使用較大的功率來(lái)

• 免費(fèi)捐贈(zèng)探針臺(tái)

  援助方案分兩部分，總****過(guò)100**民幣。 1、免費(fèi)捐贈(zèng)探針臺(tái)產(chǎn)品（5臺(tái)） A、 ADVANCED PW-400-PCKG 3套 每套配置如下： PW-400：4 inch chuck（探針臺(tái)主體） 1 pcs SMZ-168： 20X目鏡 15-100x放大(體式顯微鏡) 1 pcs ADV-5M： 500萬(wàn)像素，操作軟件（CCD） 1 pcs MP-01： 80TPI,仰角機(jī)構(gòu)，磁性底座(探