半導(dǎo)體材料SiC和GaN

時間：2020-04-10作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：177

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  詞條說明

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  湖北省集成電路產(chǎn)業(yè) 在國家大力推動下，國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)逐漸形成了以北京為**的京津翼地區(qū)、以上海為**的長三角地區(qū)、以深圳為**的珠三角地區(qū)、以四川、重慶、湖北、湖南、安徽等為**的中西部地區(qū)四大產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)。 隨著新一輪集成電路發(fā)展熱潮涌現(xiàn)，除京滬等地繼續(xù)**外，中西部地區(qū)省市雖為*二梯隊，卻也因西安、成都、重慶、武漢、長沙、合肥等集成電路重點城市，成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展較活躍的產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)，其中湖北憑借著國

• 微電子失效分析方法總結(jié)

  微電子失效分析方法總結(jié) 失效分析 趙工 1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無損檢查:１.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內(nèi)部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 、X－Ray（這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國Fein 微焦點Xray用途：半導(dǎo)體BGA，線路板等內(nèi)部位移的分析 ；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷. 參數(shù)：標(biāo)準(zhǔn)檢測分

• 金相試樣制備及常見問題

  金相試樣制備及常見問題 金相分析是研究材料內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)的重要方法，一般用來進行失效分析（FA）、質(zhì)量控制（QC）、研發(fā)（RD）等。而金相試樣制備的目的是獲得材料內(nèi)部真實的組織結(jié)構(gòu)，需要通過不同的金相試樣制備方法去完成。 一般來說，金相試樣制備的方法有：機械法（傳統(tǒng)意義上的機械制備--磨拋）、電解法（電解拋光和浸蝕）、化學(xué)法（化學(xué)浸蝕）、化學(xué)機械法（化學(xué)作用和機械作用同時去除材料）。 金相試樣制備的

• 晶柱成長制程

  《晶柱成長制程》 硅晶柱的長成，首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中，并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì)，使產(chǎn)生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì)，接著需要將所有物質(zhì)融化后再長成單晶的硅晶柱，以下將對所有晶柱長成制程做介紹。 長晶主要程序︰ 融化（MeltDown） 此過程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng)，若使用較大的功率來