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援助方案分兩部分,總價(jià)值**過100**民幣。 1、免費(fèi)捐贈(zèng)探針臺(tái)產(chǎn)品(5臺(tái)) A、 ADVANCED PW-400-PCKG 3套 每套配置如下: PW-400:4 inch chuck(探針臺(tái)主體) 1 pcs SMZ-168: 20X目鏡 15-100x放大(體式顯微鏡) 1 pcs ADV-5M: 500萬像素,操作軟件(CCD) 1 pcs MP-01: 80TPI,仰角機(jī)構(gòu),磁性底座(探
常用顯微鏡介紹顯微鏡分析檢測(cè) 一、顯微鏡分析檢測(cè)簡(jiǎn)介: 顯微鏡是我們實(shí)驗(yàn)室較常用的分析設(shè)備,成本低,操作簡(jiǎn)單,成像清晰。反饋的是樣品的原貌。通常顯微鏡是用來做外觀的檢測(cè)和圖片留存。 外觀檢查就是目測(cè)或利用一些簡(jiǎn)單儀器,如立體顯微鏡、金相顯微鏡甚至放大鏡等工具檢查樣品的外觀,尋找失效的部位和相關(guān)的物證,主要的作用就是失效定位和初步判斷樣品的失效模式。比如檢測(cè)一個(gè)PCB樣品,外觀檢查主要檢查PCB的污
[封裝失效分析系列一] IC封裝失效分析實(shí)驗(yàn)室 近年來,隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,繼續(xù)減小線寬的投入與其回報(bào)相比變得越來越不劃算。業(yè)界大佬Intel的10nm工藝預(yù)計(jì)將在2017年Q3亮相,這個(gè)時(shí)間點(diǎn)明顯已經(jīng)偏離摩爾定律。高度集成化的芯片,如SoC(systemon chip)的設(shè)計(jì)與流片成本過高,使得近些年SiP(System in Package)逐漸受到熱捧。通過不同種類芯片及封裝顆粒之間的
微量元素含量測(cè)試方法 近年來,元素含量測(cè)試儀器發(fā)展十分*,常見的測(cè)試儀器有原子反射光譜法(AES)、原子吸收光譜法(AAS)、X射線熒光光譜法(XRF)、電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP-AES)和質(zhì)譜(ICP-MS)等,由于各個(gè)儀器的技術(shù)方法存在局限性,如何對(duì)待測(cè)元素“量體裁衣”尤為重要。下面主要從元素含量測(cè)試儀器原理、適用范圍兩個(gè)方面作簡(jiǎn)要介紹。 1.原子發(fā)射光譜(AES) 原子發(fā)射光譜
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備

激光開封機(jī)laser decap開蓋開封開帽ic開封去封裝

開短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線

聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析

超聲波掃描顯微鏡CSAN無損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析

電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡

EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光發(fā)射顯微鏡

IV曲線測(cè)試開短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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