無損檢測科普

時間：2020-03-24作者：儀準科技（北京）有限公司瀏覽：141

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• 詞條

  詞條說明

• 失效分析含義和具體操作

  失效分析技術(shù)，失效分析實驗室，失效機制是導(dǎo)致零件、元器件和材料失效的物理或化學(xué)過程。此過程的誘發(fā)因素有內(nèi)部的和外部的。在研究失效機制時，通常先從外部誘發(fā)因素和失效表現(xiàn)形式入手，進而再研究較隱蔽的內(nèi)在因素。在研究批量性失效規(guī)律時，常用數(shù)理統(tǒng)計方法，構(gòu)成表示失效機制、失效方式或失效部位與失效頻度、失效百分比或失效經(jīng)濟損失之間關(guān)系的排列圖或帕雷托圖，以找出必須首先解決的主要失效機制、方位和部位。任一產(chǎn)品

• 集成電路的2020年發(fā)展趨勢

  集成電路的2020年發(fā)展趨勢 據(jù)了解，2019年由于受世界經(jīng)濟發(fā)展的增速減緩、整機廠商的去庫存化等綜合因素的干擾，**半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)普遍處于下滑態(tài)勢。 作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)里的關(guān)鍵產(chǎn)品之一，集成電路領(lǐng)域的發(fā)展趨勢備受關(guān)注。 集成電路(integratedcircuit)是一種微型電子器件或部件?？s寫為IC；采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半

• 半導(dǎo)體材料SiC和GaN

  寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN 的研究現(xiàn)狀 **代半導(dǎo)體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀電子工業(yè)的基礎(chǔ)。*二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）、砷化銦（InAs）、砷化鋁（AlAs）及其合金化合物等，其奠定了20 世紀信息光電產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。*三代寬禁帶半導(dǎo)體材料一般是指氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氮化鋁（

• 芯片測試現(xiàn)狀分析

  失效分析就是要分析損壞的產(chǎn)品從而為改進設(shè)計或明確責(zé)任提供素材的工作。但是從行業(yè)來看，目前很多公司特別是中小型公司的失效分析做的并不好。 中國有句俗話叫：“吃一塹，長一智”，《論語》中也有“**過”的說法。其本質(zhì)就是要從失敗中吸取教訓(xùn)避免進一步的犯錯。 一方面，一些中小型電子產(chǎn)品生產(chǎn)商沒有良好的物料控制體系，不能對物料進行有效的追溯。一旦出了問題，很難查到當(dāng)年的渠道和來源。甚至不能保證物料的真?zhèn)?。較