詞條
詞條說(shuō)明
掃描電鏡SEM你了解嗎?掃描電子顯微鏡SEM應(yīng)用范圍: 1、材料表面形貌分析,微區(qū)形貌觀(guān)察 2、各種材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析 3、各種薄膜樣品表面形貌觀(guān)察、薄膜粗糙度及膜厚分析 掃描電子顯微鏡樣品制備比透射電鏡樣品制備簡(jiǎn)單,不需要包埋和切片。 樣品要求: 樣品必須是固體;滿(mǎn)足無(wú)毒,無(wú)放射性,無(wú)污染,無(wú)磁,無(wú)水,成分穩(wěn)定要求。 制備原則: 表面受到污染的試樣,要在不破壞試樣表面結(jié)構(gòu)的
開(kāi)封, 即開(kāi)蓋/開(kāi)帽 開(kāi)封含義: 開(kāi)封, 即開(kāi)蓋/開(kāi)帽, 指去除ic封膠, 同時(shí)保持芯片功能的完整無(wú)損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受損傷, 為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備. 去封范圍:* 普通封裝* COB、BGA * 陶瓷、金屬等其它特殊封裝 芯片開(kāi)封機(jī)介紹: 美國(guó)RKD生產(chǎn)的RKD 酸開(kāi)封機(jī)是一臺(tái)自動(dòng)混酸開(kāi)封機(jī),通過(guò)整合了***的特點(diǎn)
中國(guó)大陸半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的新突破
半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ),它融合了當(dāng)代眾多學(xué)科的**成果,在半導(dǎo)體制造技術(shù)不斷升級(jí)和產(chǎn)業(yè)的持續(xù)創(chuàng)新發(fā)展中扮演著重要角色。半導(dǎo)體技術(shù)每前進(jìn)一步都對(duì)材料提出新的要求,而材料技術(shù)的每一次發(fā)展也都為半導(dǎo)體新結(jié)構(gòu)、新器件的開(kāi)發(fā)提供了新的思路。2019年,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料在各方共同努力下,部分中**領(lǐng)域**可喜突破,國(guó)產(chǎn)化進(jìn)一步提升。 行業(yè)整體影響下,市場(chǎng)規(guī)模小幅下滑 受行業(yè)整體不景氣影響,2019年全
無(wú)損檢測(cè)分析 工程檢查/無(wú)損檢測(cè)無(wú)損檢測(cè)是在不損壞工件或原材料工作狀態(tài)的前提下,對(duì)被檢驗(yàn)部件的表面和內(nèi)部質(zhì)量進(jìn)行檢查的一種測(cè)試手段。 無(wú)損檢測(cè)方法 常用的無(wú)損檢測(cè)方法有:X光射線(xiàn)探傷、超聲波探傷、磁粉探傷、滲透探傷、渦流探傷、γ射線(xiàn)探傷、螢光探傷、著色探傷等方法。 無(wú)損檢測(cè)目地 通過(guò)對(duì)產(chǎn)品內(nèi)部缺陷進(jìn)行檢測(cè)對(duì)產(chǎn)品從以下方面進(jìn)行改進(jìn)。 1、改進(jìn)制造工藝; 2、降低制造成本; 3、提高產(chǎn)品的可靠性; 4
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備

激光開(kāi)封機(jī)laser decap開(kāi)蓋開(kāi)封開(kāi)帽ic開(kāi)封去封裝

開(kāi)短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線(xiàn)

聚焦離子束顯微鏡FIB線(xiàn)路修改切線(xiàn)連線(xiàn)異常分析失效分析

超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析

電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡

EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光**顯微鏡

IV曲線(xiàn)測(cè)試開(kāi)短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線(xiàn)量測(cè)儀
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