PCB失效分析

時(shí)間：2020-04-08作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：199

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• 詞條

  詞條說明

• 失效分析案例介紹

  一、板電后圖電前擦花 1、斷口處的銅表面光滑、沒有被蝕痕跡。 2、OPEN處的基材有或輕或重的被損傷痕跡（發(fā)白）。 3、形狀多為條狀或塊狀。 ４、附近的線路可能有滲鍍或線路不良出現(xiàn)。 ５、從切片上看，圖電層會(huì)包裹板電層和底銅。 二、銅面附著干膜碎 1、斷口處沙灘位與正常線路一致或相差很小 2、斷口處銅面平整、沒有發(fā)亮 三、銅面附著膠或類膠的抗鍍物 1、斷口處銅面不平整、發(fā)亮；有時(shí)成鋸齒狀 2、通常

• 芯片行業(yè)的困境

  芯片行業(yè)的困境 過去幾十年，在摩爾定律的指導(dǎo)下，芯片中的晶體管數(shù)量大約每?jī)赡攴环?。晶體管的微縮技術(shù)革新增加了晶體管的密度。摩爾定律在20世紀(jì)60年代**被發(fā)現(xiàn)，并一直延續(xù)到2010年代，至此以后，晶體管密度的發(fā)展開始放緩。如今，主流芯片包含了數(shù)十億個(gè)晶體管，但如果摩爾定律能夠繼續(xù)按照當(dāng)時(shí)的速度發(fā)展下去，它們的晶體管數(shù)量將是現(xiàn)在的15倍。 每一代晶體管密度的增加，被稱為“節(jié)點(diǎn)”。每個(gè)節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)于晶體

• 芯片漏電分析手段被誤導(dǎo)了很多年

  一提到IC漏電定位大家都認(rèn)為只有OBIRCH，甚至現(xiàn)在可笑的是認(rèn)為OBIRCH是一種設(shè)備的名稱。今天小編給大家普及一下這方面的知識(shí)。 OBIRCH其實(shí)只是一種技術(shù)，是早年日本NEC發(fā)明并申請(qǐng)了專li。它的原理是：給IC加上電壓，使其內(nèi)部有微小電流流過，同時(shí)在芯片表面用激光進(jìn)行掃描。 激光掃描的同時(shí)，對(duì)微小電流進(jìn)行監(jiān)測(cè)，當(dāng)激光掃到某個(gè)位置，電流發(fā)生較大變化，設(shè)備對(duì)這個(gè)點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)記，也就是說這個(gè)位置即為

• 微電子失效分析方法總結(jié)

  微電子失效分析方法總結(jié) 失效分析 趙工 1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無(wú)損檢查:１.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內(nèi)部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國(guó) 2 、X－Ray（這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國(guó)Fein 微焦點(diǎn)Xray用途：半導(dǎo)體BGA，線路板等內(nèi)部位移的分析 ；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷. 參數(shù)：標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)分