PCB失效分析

時間：2020-04-08作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：200

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• 詞條

  詞條說明

• 芯片失效分析常用方法

  一：X-RAY檢查 1，X-RAY含義： X-RAY射線又稱倫琴射線，一種波長很短的電磁輻射，由德國物理學(xué)家倫琴在1895年發(fā)現(xiàn)。一般指電子能量發(fā)生很大變化時放出的短波輻射，能透過許多普通光不能透過的固態(tài)物質(zhì)。利用可靠性分析室里的X-RAY分析儀，可檢查產(chǎn)品的金絲情況和樹脂體內(nèi)氣孔情況，以及芯片下面導(dǎo)電膠內(nèi)的氣泡，導(dǎo)電膠的分布范圍情況。 2，X-RAY檢查原則 不良情況 原因或責(zé)任者 球脫 組裝

• 芯片、半導(dǎo)體、集成電路，傻傻分不清？

  作為半導(dǎo)體人、電子元器件銷售或采購，你真的知道什么是芯片、半導(dǎo)體和集成電路嗎？知道它們之間的關(guān)系與區(qū)別嗎？ 一、什么是芯片 芯片，又稱微電路（microcircuit）、微芯片（microchip）、集成電路（integrated circuit， IC），是指內(nèi)含集成電路的硅片，體積很小，常常是計算機或其他電子設(shè)備的一部分。 芯片（chip）就是半導(dǎo)體元件產(chǎn)品的統(tǒng)稱，是 集成電路（IC， int

• 聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離

• 晶柱成長制程

  《晶柱成長制程》 硅晶柱的長成，首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中，并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì)，使產(chǎn)生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì)，接著需要將所有物質(zhì)融化后再長成單晶的硅晶柱，以下將對所有晶柱長成制程做介紹。 長晶主要程序︰ 融化（MeltDown） 此過程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng)，若使用較大的功率來