超聲波掃描顯微鏡測試流程

時間：2020-09-18

作者：儀準科技（北京）有限公司

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2019年全球半導體市場不景氣，中國表現(xiàn)良好
2019年**半導體市場陷入萎縮，而中國可圈可點經(jīng)常會有人問半導體產(chǎn)業(yè)是什么樣的一種產(chǎn)業(yè)？魏少軍教授用奧地利經(jīng)濟學家約瑟夫·熊彼得的一句話來引出，那就是“創(chuàng)新不是一個技術概念，而是一個經(jīng)濟概念”。半導體或者芯片產(chǎn)業(yè)，恰恰是一個創(chuàng)新驅動的產(chǎn)業(yè)，它的發(fā)明較終變成了錢，它是靠創(chuàng)新的方式來發(fā)展。所以它是個創(chuàng)新驅動的產(chǎn)業(yè)。了解了半導體產(chǎn)業(yè)的形式之后，再來看下半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展情況。以史為鑒，從1987年到
失效分析fib
失效分析fib 1.IC芯片電路修改用FIB對芯片電路進行物理修改可使芯片設計者對芯片問題處作針對性的測試,以便較快較準確的驗證設計方案。若芯片部份區(qū)域有問題,可通過FIB對此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問題的癥結。 FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設計方案修改次數(shù)，縮短研發(fā)時間和周期。 2.Cro
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離
芯片失效分析x-ray測試
失效分析趙工轉眼到了2020年的初夏，新新冠狀病毒的影響，讓很多原本的計劃被打亂被改動，目前北方市場急需完善的第三方實驗室，專業(yè)的技術，成套的檢測設備，為滿足用戶檢測多樣化，就近服務的要求，我中心專門安裝了高精度x-ray檢測設備，目前X-ray(X光無損檢測)已經(jīng)全面對外服務，機時充足。一、X-ray是什么？ X-ray是利用陰極射線管產(chǎn)生高能量電子與金屬靶撞擊，在撞擊過程中，因電子突然減