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芯片失效案例分析之EOS** 作為研發(fā)較怕遇到的事情之一就是芯片失效的問(wèn)題,好端端的芯片突然異常不能正常工作了,很多時(shí)候想盡辦法卻想不出問(wèn)題在哪。的確,芯片失效是一個(gè)非常讓人頭疼的問(wèn)題,它可能發(fā)生在研發(fā)初期,可能發(fā)生在生產(chǎn)過(guò)程中,還有可能發(fā)生在終端客戶的使用過(guò)程中。造成的影響有時(shí)候也非常巨大。 芯片失效的原因多種多樣,并且它的發(fā)生也無(wú)明顯的規(guī)律可循。那么有沒(méi)有一些辦法來(lái)預(yù)防芯片失效的發(fā)生呢?這里會(huì)
以下是光學(xué)設(shè)備廠家及供應(yīng)商匯總,若有您知道還沒(méi)統(tǒng)計(jì)上的,請(qǐng)留言補(bǔ)充,滴水成海能讓更多人受益。 光學(xué)設(shè)備廠家及供應(yīng)商匯總 單位名稱 電話 主營(yíng)產(chǎn)品 上海儀準(zhǔn)電子科技有限公司 13488683602 金相顯微鏡、體視顯微鏡、微光顯微鏡、紅外顯微鏡、掃描電子顯微鏡、超聲波掃描顯微鏡、Ⅹ射線、探針臺(tái)、半導(dǎo)體失效分析設(shè)備 上海富萊光學(xué)科技有限公司 051255183943 奧林巴斯顯微鏡、三豐測(cè)量工具、日立
1.OM 顯微鏡觀測(cè),外觀分析 2.C-SAM(超聲波掃描顯微鏡) (1)材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu),雜質(zhì)顆粒,夾雜物,沉淀物, (2) 內(nèi)部裂紋。(3)分層缺陷。(4)空洞,氣泡,空隙等。 3. X-Ray 檢測(cè)IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如對(duì)齊不良或橋接,開(kāi)路、短路或不正常連接的缺陷,封裝中的錫球完整性。(這幾種是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性
微量元素含量測(cè)試方法 近年來(lái),元素含量測(cè)試儀器發(fā)展十分*,常見(jiàn)的測(cè)試儀器有原子反射光譜法(AES)、原子吸收光譜法(AAS)、X射線熒光光譜法(XRF)、電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP-AES)和質(zhì)譜(ICP-MS)等,由于各個(gè)儀器的技術(shù)方法存在局限性,如何對(duì)待測(cè)元素“量體裁衣”尤為重要。下面主要從元素含量測(cè)試儀器原理、適用范圍兩個(gè)方面作簡(jiǎn)要介紹。 1.原子發(fā)射光譜(AES) 原子發(fā)射光譜
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備

激光開(kāi)封機(jī)laser decap開(kāi)蓋開(kāi)封開(kāi)帽ic開(kāi)封去封裝

開(kāi)短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線

聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析

超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析

電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡

EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光發(fā)射顯微鏡

IV曲線測(cè)試開(kāi)短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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