詞條
詞條說(shuō)明
掃描電鏡(SEM) 服務(wù)介紹:SEM/EDX(形貌觀測(cè)、成分分析)掃描電鏡(SEM)可直接利用樣品表面材料的物質(zhì)性能進(jìn)行微觀成像。EDX是借助于分析試樣發(fā)出的元素特征X射線(xiàn)波長(zhǎng)和強(qiáng)度實(shí)現(xiàn)的,根據(jù)不同元素特征X射線(xiàn)波長(zhǎng)的不同來(lái)測(cè)定試樣所含的元素。通過(guò)對(duì)比不同元素譜線(xiàn)的強(qiáng)度可以測(cè)定試樣中元素的含量。通常EDX結(jié)合電子顯微鏡(SEM)使用,可以對(duì)樣品進(jìn)行微區(qū)成分分析。 服務(wù)范圍:**,航天,半導(dǎo)體,**
微量元素含量測(cè)試方法 近年來(lái),元素含量測(cè)試儀器發(fā)展十分*,常見(jiàn)的測(cè)試儀器有原子反射光譜法(AES)、原子吸收光譜法(AAS)、X射線(xiàn)熒光光譜法(XRF)、電感耦合等離子體原子**光譜(ICP-AES)和質(zhì)譜(ICP-MS)等,由于各個(gè)儀器的技術(shù)方法存在局限性,如何對(duì)待測(cè)元素“量體裁衣”尤為重要。下面主要從元素含量測(cè)試儀器原理、適用范圍兩個(gè)方面作簡(jiǎn)要介紹。 1.原子**光譜(AES) 原子**光譜
芯片失效分析方法: 1.OM 顯微鏡觀測(cè),外觀分析 2.C-SAM(超聲波掃描顯微鏡) (1)材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu),雜質(zhì)顆粒,夾雜物,沉淀物, (2) 內(nèi)部裂紋。 (3)分層缺陷。(4)空洞,氣泡,空隙等。 3. X-Ray 檢測(cè)IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線(xiàn)的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如對(duì)齊不良或橋接,開(kāi)路、短路或不正常連接的缺陷,封裝中的錫球完整性。(這幾種是芯片發(fā)生失
晶圓代工迎來(lái)新的黃金期 近期,以臺(tái)積電為代表的幾大晶圓代工廠備受關(guān)注,原因在于它們2020年**季度的財(cái)報(bào)。與各大IDM和Fabless**和*二季度低迷的財(cái)報(bào)或財(cái)測(cè)不同,臺(tái)積電、聯(lián)電和中芯**這三大晶圓代工廠的業(yè)績(jī)十分亮眼,與當(dāng)下疫情給半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)的負(fù)面影響形成了鮮明的對(duì)比。看來(lái),晶圓代工(Foundry)這種商業(yè)模式確有其過(guò)人之處。 2019年10月,DIGITIMES Research預(yù)估
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
激光開(kāi)封機(jī)laser decap開(kāi)蓋開(kāi)封開(kāi)帽ic開(kāi)封去封裝
開(kāi)短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線(xiàn)
聚焦離子束顯微鏡FIB線(xiàn)路修改切線(xiàn)連線(xiàn)異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光**顯微鏡
IV曲線(xiàn)測(cè)試開(kāi)短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線(xiàn)量測(cè)儀
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