芯片開封技術(shù)laser decap

時(shí)間：2020-05-07作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：202

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• 詞條

  詞條說明

• 晶柱成長制程

  《晶柱成長制程》 硅晶柱的長成，首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中，并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì)，使產(chǎn)生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì)，接著需要將所有物質(zhì)融化后再長成單晶的硅晶柱，以下將對(duì)所有晶柱長成制程做介紹。 長晶主要程序︰ 融化（MeltDown） 此過程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng)，若使用較大的功率來

• 芯片開封方式

  芯片封裝如何去除？---芯片開封介紹 芯片開封也就是給芯片做外科手術(shù)，通過開封我們可以直觀的觀察芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，開封后可以結(jié)合OM分析判斷樣品現(xiàn)狀和可能產(chǎn)生的原因。 開封的含義：Decap即開封，也稱開蓋，開帽，指給完整封裝的IC做局部腐蝕，使得IC可以暴露出來，同時(shí)保持芯片功能的完整無損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-不受損傷, 為下一步芯片失效分析實(shí)

• 芯片測(cè)試方法匯總

  芯片失效分析檢測(cè)方法匯總 失效分析 趙工 1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無損檢查:１.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內(nèi)部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 、X－Ray（這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國Fein 微焦點(diǎn)Xray用途：半導(dǎo)體BGA，線路板等內(nèi)部位移的分析 ；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷. 參數(shù)：標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)

• 失效分析含義和具體操作

  失效分析技術(shù)，失效分析實(shí)驗(yàn)室，失效機(jī)制是導(dǎo)致零件、元器件和材料失效的物理或化學(xué)過程。此過程的誘發(fā)因素有內(nèi)部的和外部的。在研究失效機(jī)制時(shí)，通常先從外部誘發(fā)因素和失效表現(xiàn)形式入手，進(jìn)而再研究較隱蔽的內(nèi)在因素。在研究批量性失效規(guī)律時(shí)，常用數(shù)理統(tǒng)計(jì)方法，構(gòu)成表示失效機(jī)制、失效方式或失效部位與失效頻度、失效百分比或失效經(jīng)濟(jì)損失之間關(guān)系的排列圖或帕雷托圖，以找出必須首先解決的主要失效機(jī)制、方位和部位。任一產(chǎn)品